Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SPA20N60C3
ЭлектроэлементSPA20N60 - CoolMOS, 20.7A, 600V, 0.19ohm, N-Channel, Power MOSFET
| Корпус | PG-TO220-3-FP |
| Монтаж | THT |
| Мощность | 34.5Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 600В |
| Полярность | полевой |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Сопротивление в открытом состоянии | 190мОм |
| Технология | CoolMOS™ |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 13.1А |
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Fall Time | 4.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 20.7 A |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package/Case | TO-220FP-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | SP000216354 SPA2N6C3XK SPA20N60C3XKSA1 |
| Pd - Power Dissipation | 34.5 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 87 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 190 mOhms |
| Rise Time | 5 ns |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 67 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.1 V |
| Вес, г | 2.17 |
Похожие товары
Цена по запросу
