Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STP11NM60FD
Электроэлемент Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 7А, 160Вт, TO220-3 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
MOSFET
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 160W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Series | FDmeshв(ў |
| Standard Package | 50 |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.4Ом |
| Power Dissipation | 160Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | FDmesh |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 160Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.4Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min | 5.2 S |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation | 160 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 40 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 400 mOhms |
| Rise Time | 16 ns |
| Series | STP11NM60FD |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Вес, г | 1.957 |
Похожие товары
Цена по запросу
