Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STW28NM50N, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 13А, 150Вт, TO247
Описание Транзистор полевой STW28NM50N от STMicroelectronics – это надежный N-MOSFET компонент, предназначенный для THT (сквозного) монтажа. Обладает током стока 13 А и напряжением сток-исток 500 В, что позволяет использовать его в широком спектре электронных схем. Мощность транзистора достигает 150 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,135 Ом, обеспечивает эффективную работу. Корпус TO247 обеспечивает удобную установку и надежность при эксплуатации. Выбирая STW28NM50N, вы получаете качество от известного производителя STMicroelectronics. Артикул STW28NM50N подтверждает подлинность и соответствие требуемым характеристикам. Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
N-MOSFET
Монтаж
THT
Ток стока, А
13
Напряжение сток-исток, В
500
Мощность, Вт
150
Сопротивление в открытом состоянии, Ом
0.135
Корпус
TO247
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 13 |
| Напряжение сток-исток, В | 500 |
| Мощность, Вт | 150 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.135 |
| Корпус | TO247 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 158 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Width | 5.15mm |
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity | 600 |
| Fall Time | 52 ns |
| Forward Transconductance - Min | 1.5 S |
| Id - Continuous Drain Current | 21 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 150 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 50 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 158 mOhms |
| Rise Time | 19 ns |
| Series | STW28NM50N |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Tradename | MDmesh |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | N-Channel MDmesh II Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 62 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 13.6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Вес, г | 4.49 |
Похожие товары
Цена по запросу
