Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STW35N60DM2, MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
Unclassified Описание Транзистор полевой STW35N60DM2 от компании STMicroelectronics – это надежный компонент для силовой электроники. Устройство с монтажом THT гарантирует простую интеграцию в различные электронные схемы. Данный N-MOSFET транзистор имеет ток стока 17 А и выдерживает напряжение сток-исток до 600 В, что делает его идеальным выбором для высоковольтных применений. С мощностью 210 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,094 Ом, он отличается высокой эффективностью и минимальными тепловыми потерями. Все это размещено в прочном корпусе TO247, что обеспечивает устойчивость к физическим воздействиям и долгий срок службы. Ищите STW35N60DM2 для ваших проектов, когда требуется надежное и мощное управление током. Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
N-MOSFET
Монтаж
THT
Ток стока, А
17
Напряжение сток-исток, В
600
Мощность, Вт
210
Сопротивление в открытом состоянии, Ом
0.094
Корпус
TO247
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 17 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 210 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.094 |
| Корпус | TO247 |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Pd - рассеивание мощности | 210 W |
| Qg - заряд затвора | 54 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 17 ns |
| Время спада | 10.7 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Серия | STW35N60DM2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 68 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21.2 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 210 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh DM2 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Width | 5.15mm |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Вес, г | 38 |
Похожие товары
Цена по запросу
